“无缝拼接曝光”：
旨在消除Shot之间的拼接痕迹，从而实现更高精度和一致性的图案生成。
 
【量产级 / 生产级 】实绩关键参数 @12inch Wafer（Φ300mm）
 
Pitch：           ≥ 60nm
Line width：   ≥ 25nm
 
※非实验室样品级（Non-lab sample grade ）
 
曝光机 (Exposure Equipment)：
   - Im-ArF:   浸入式ArF光刻机
   - Dry-ArF: 干式ArF光刻机
   - KrF:         KrF光刻机
   - i-Line:      i线光刻机
 
晶圆 (Wafer)：
   - 8英寸晶圆（硅、石英、玻璃等）
   - 12英寸晶圆（硅）