• “无缝拼接曝光”：

旨在消除Shot之间的拼接痕迹，从而实现更高精度和一致性的图案生成。

• 【量产级 / 生产级 】实绩关键参数 @12inch Wafer（Φ300mm）

Pitch：           ≥ 60nm

Line width：   ≥ 25nm

※非实验室样品级（Non-lab sample grade ）

• 曝光机 (Exposure Equipment)：

   - Im-ArF:   浸入式ArF光刻机    - Dry-ArF: 干式ArF光刻机    - KrF:         KrF光刻机    - i-Line:      i线光刻机

• 晶圆 (Wafer)：

   - 8英寸晶圆（硅、石英、玻璃等）    - 12英寸晶圆（硅）